Добре дошли в нашите сайтове!
Търсене
English
section02_bg(1)
глава (1)
LEEM-10A Експериментален апарат за характеристиките на PN преход Представено изображение
  • LEEM-10A Експериментален апарат за характеристики на PN преход

LEEM-10A Експериментален апарат за характеристики на PN преход

Кратко описание:

Въведение

Физическите свойства на полупроводниковия PN преход са едно от важните основни съдържания на физиката и електрониката.Този апарат използва метода на физическия експеримент за измерване на връзката между дифузионния ток на PN прехода и напрежението, доказва, че тази връзка следва експоненциалния закон на разпределение и измерва константата на Болцман (една от важните константи във физиката) по-точно, което позволява студентите да научат нов метод за измерване на слаб ток.Този апарат осигурява термостат за променлива температура на нагревател за измерване на връзката между напрежението на PN прехода и термодинамичната температура T, така че да се получи чувствителността на сензора и приблизително да се получи енергийната празнина на силициевия материал при 0K.Този апарат е стабилен и надежден и има богато физическо експериментално съдържание, ясна концепция, разумен структурен дизайн и резултати от измерване с висока точност.Този апарат се използва главно в общи физически експерименти и изследователски експерименти с дизайн в колежи и университети.


Подробности за продукта

Продуктови етикети

Експерименти

1. Измерва се връзката между тока на дифузия на PN прехода и напрежението на прехода и трябва да се докаже, че тази връзка следва експоненциалния закон на разпределение чрез обработка на данни;

2. Константата на Болцман се измерва по-точно (грешката трябва да бъде по-малка от 2%);

3. Научете се да използвате операционен усилвател, за да формирате преобразувател ток-напрежение за измерване на слаб ток от 10-6А до 10-8A;

4. Измерва се връзката между напрежението на PN прехода и температурата и се изчислява чувствителността на напрежението на прехода към температурата;

5. Приблизително за изчисляване на енергийната празнина на полупроводниковия (силициев) материал при 0K.

Технически индекси

1. DC захранване

Регулируемо 0-1.5V DC захранване;

Регулируемо 1mA-3mA DC захранване.

2. LCD измервателен модул

Съотношение на LCD резолюция: 128×64 пиксела

Два цифрови индикатора за напрежение Обхват: 0-4095mV, Съотношение на разделителна способност: 1mV

Обхват: 0-40.95V, Съотношение на разделителна способност: 0.01V

3. Експериментално устройство

Състои се от операционен усилвател LF356, конекторна букса, многооборотен потенциометър и др. TIP31 и триод тип 9013 са външно свързани.

4. Нагревател

Изсушен добре меден регулируем нагревател;

Диапазон на контрол на температурата на термостата: Стайна температура до 80,0 ℃;

Коефициент на разделителна способност на контрола на температурата 0,1 ℃.

5. Оборудване за измерване на температура

DS18B20 цифров температурен датчик

  • Предишен:
  • Следващия:
    • Напишете вашето съобщение тук и ни го изпратете

    Категории продукти